【三億體育科技消息】全球人工智能（AI）投資熱潮加劇了內存半導體短缺，三星和SK海力士正同步提升其中國工廠的工藝技術和產能，以全面擴大供應。韓國金融監督院近日披露，兩家公司去年在華工廠的投資總額超過1.5萬億韓元。
三星和SK海力士
據三億體育了解，三星去年對其位于中國西安的工廠投資了4654億韓元，較前一年的2778億韓元大幅增長67.5%。西安工廠是三星唯一的海外NAND閃存生產基地，約占其總產量的40%。此前，三星在2019年對西安工廠投資約6984億韓元后，2020年至2023年間未進行重大投資，但自2024年起恢復投資并持續加碼。
與此同時，SK海力士去年也對其無錫DRAM工廠和大連NAND閃存子公司進行了超過1萬億韓元的投資。其中，向無錫DRAM工廠注資5810億韓元，較2024年的2873億韓元激增102%；向大連NAND工廠投資4406億韓元，增長52%。這是SK海力士自2022年收購英特爾大連NAND工廠以來，首次在華進行萬億韓元規模的投資。
SK海力士無錫DRAM工廠
韓媒解讀稱，全球內存市場兩位巨頭如此積極投資中國工廠的背后，是源源不斷的內存半導體訂單。當前內存市場供應緊張，今年全年的DRAM和NAND閃存產量已基本售罄。隨著AI服務從簡單的搜索演變為需要更多推理和學習的“智能體”形式，對高性能DRAM的需求激增，用于AI數據中心處理信息的超高性能內存訂單也大幅增長。
瑞銀證券預測，全球半導體市場今年將比去年擴張40%以上，達到1萬億美元規模。此外，中國國內的AI基礎設施投資也帶動了強勁的內需，去年中國內存半導體市場規模已達約4580億元人民幣，預計今年還將進一步擴大。
僅靠韓國國內的生產設施已無法滿足全球需求，三星和SK海力士正通過升級其關鍵生產基地之一的中國工廠來擴大供應。通過大規模追加投資，三星計劃將其西安NAND工廠的主要工藝從128層（第6代）升級至236層（第8代）。
SK海力士則通過投資，將其無錫工廠的DRAM生產工藝從10納米級第3代（1z）升級至第4代（1a）。升級后，無錫工廠將能夠大規模生產第五代雙倍數據速率（DDR5）等高附加值產品。該工廠占SK海力士DRAM總產量的30%以上，現已轉型為高附加值產品生產基地。
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